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三星宣布UFS 4.0存储性能比USF 3.1高2倍

导读 我们的移动设备中存在的内部存储类型导致读取和写入文件的速度存在显着差异。因此,目前最快的标准是UFS 3 1,但是,三星刚刚推出了一种新

我们的移动设备中存在的内部存储类型导致读取和写入文件的速度存在显着差异。因此,目前最快的标准是UFS 3.1,但是,三星刚刚推出了一种新的解决方案,该解决方案承诺使用UFS 4.0 标准实现更高的速度。

通用闪存 (UFS) 4.0 的读取速度高达4200 MB/s,顺序写入速度高达2800 MB/s,并提高了能效,即每 mA 6.0 MB/s。也就是说,与上一代相比,它的性能提高了 46%,并且可以配置为高达 1 TB 以用于智能手机。

UFS 4.0 标准到达三星手中

三星的 UFS 3.1 标准特别快速和高效,但在新标准中我们有显着的进步。该公告由三星电子设备工程联合委员会 (JEDEC) 董事会发布,为新标准开了绿灯。

请注意,UFS 4.0 标准基于三星自己的第 7 代 V-NAND 存储器,这是最新一代的组件。

据这家韩国巨头称,新的闪存芯片将于 2022 年第三季度开始量产。因此,首批集成该芯片组的智能手机将在年底上市。

比 UFS 3.1 闪存标准提高 46%

三星还表示,与当前的 UFS 3.1 芯片相比,新的 UFS 4.0 芯片的尺寸将减小,尺寸为 11 毫米 x 13 毫米 x 1 毫米。也就是说,它们还将允许更好的空间管理和减少内部组件。这将使制造商能够更多地利用其智能手机、平板电脑和其他移动设备的内部空间。

简而言之,新的闪存标准将使智能手机变得更快、更紧凑。现在,还有待等待 2022 年最后一个季度上市的第一批单位的到来。